PN结的基本特性:1。正向导通和反向截止。当直流电压达到一定值时(硅管为0.7V,锗管为0.3V),电流随电压呈指数变化。与电阻相比,它具有非线性特性,所以它的特性曲线一般是非线性的。2.载流子有两种,分别是电子和空空穴。3.受温度影响很大。
什么是PN结p是正电荷的缩写,n是负电荷的缩写,表示正电荷和载流子的特性。当掺杂受主杂质的单晶半导体的一部分是P型半导体,而掺杂施主杂质的另一部分是N型半导体时,P型半导体和N型半导体之间的界面附近的过渡区被称为PN结。
PN结是半导体二极管和其他半导体器件的基础,由P型半导体和N型半导体结合而成。p型和N型半导体可以通过在纯半导体(如硅材料)中掺杂受主杂质或施主杂质制成。空空穴参与导电是半导体不同于金属导电的一个重要特征。
当直流电压(正向偏压)施加到PN结时,耗尽区变窄,电流流动。而当施加定向电压(反向偏压)时,耗尽区变宽,没有电流流过或电流极小,这就是半导体二极管的单向导通性,也是二极管最重要的特性。
正偏:电源正极接P区,负极接N区,即“P正N负”。
反向偏置:电源正极接N区,负极接P区,即“P负N正”。
PN结是如何形成的本征半导体的两侧掺杂有不同的元素,一侧是P型,另一侧是N型。因为两边载流子浓度不同,会发生扩散。
在扩散过程中,在失去自由电子正电荷的同时,失去空空穴的负电荷,从而在P区和N区的结处形成内部电场。N结中电场的方向从N区指向P区。
在内部电场的作用下,两侧的电子和空空穴会发生漂移。一段时间后,扩散和漂移运动达到平衡。最后在界面处形成一定厚度的空电荷间区,即PN结。